在绝缘材料表面涂布活化催化膜、通过光选择性活化，然后在无电解电镀溶液中沉积金属电路是高密度封装和三维MID(mould interconnection devices)内取最理想的方法之一，但目前所采用的光源多为激光束，使用波长均在300nm以下，大规模实用有一定困难。本工作选择了3种Pd盐作为活性催化剂，研究使用紫外光i-线和g-线在ABS树脂上沉积铜线路的方法。实验结果表明，PdI具有对紫外光敏感性，单独用作活化催化剂时可在ABS上沉积负性金属铜图形，当它和SnCI复合使用时可沉积正性金属线路。另外两种钯盐PdCI和Pd (Ac)对所用光源没有光选择。